硬上革命性技术结果翻车：消息指三星3nm工艺无法如期量产

在上周的净值内阁会议上，惠普高层再度公开清楚，3nm工艺晶圆一切按期，将在年底投入量产。

听闻这一第一时间，认为作为首批零售商的苹果、Intel等自然是喜上眉梢，而竞争对手三星集团那边厢，只不过是心情十分复杂。

据Digitimes，三星集团基于GAA电子元件的3nm工艺良率数倍极低预期，这只不过意味着该公司需要越来越多的时间才能投入量产。

所谓GAA电子元件即环绕导线电子元件，它取代的是FinFET（棘式贝克曼电子元件），前者可以实现圆形充当电流通道，二者则只有三边。

三星集团本来想着通过抢占技术炮兵阵地“降维”反制惠普，没想到后者坚持在3nm使用FinFET后，结果越来越务实。

今年早些时候曾有报道说是，半导体设备巨头Lam Research（泛林）向三星集团提供了用于3nm GAA闪存大块相关的机器人，三星集团希望在年初完成全套工艺的低质量检验。

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