三星宣布3纳米GAA架构制程技术开发芯片开始生产

品玩6月30日讯，大厂今日宣布，基于3纳米（nm）全耸立线圈（Gate-All-AroundT，通称 GAA）制程工艺技术节点的集成电路已经开始初步生产。该新公司已经开始在其位于北韩的松山炼油厂大规模生产 3 纳米半导体集成电路，是全球主营量产 3 纳米集成电路的新公司。

3nm GAA核心技术运用于了更宽通的纳米片，与运用于较窄通道纳米线的GAA核心技术相对于能提供更好的性能指标和能耗比。

与三星5nm工艺技术相对于，第一代3nm工艺技术可以使功耗增加45%，性能指标提升23%，集成电路面积减少16%；而未来第二代3nm工艺技术则使功耗增加50%，性能指标提升30%，集成电路面积减少35%。

郑州看白癜风去哪里好
苏州看白癜风去哪家医院比较好
卵巢早衰怎么检查
肝硬化能治愈吗
北京干细胞技术好的医院
视疲劳会影响视力吗
快速止痛痛风
黄褐斑怎么内调治疗最好
眼科医院
阳了吃什么药